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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明公开一种半导体加工腔室以及晶圆处理方法。半导体加工腔室包括：升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。与现有技术相比，本发明省去了一个专门用来升降顶针的平台，却没有省去相应的功能，这种半导体加工腔室的结构更加简单、可靠、制作成本也更低，同时，这种半导体加工腔室中的顶针也不会因为有这种倾斜的顶针升降平台而被折断。
主权项：1.一种半导体加工腔室，其特征在于，包括：升降平台，设置有多个竖直延伸的通孔；设置在升降平台下方的基座组件，设置有多个开口朝上且竖直延伸的盲孔；以及多根顶针，包括贯穿所述通孔且插入到所述盲孔中的直杆以及从所述直杆的顶端径向向外伸出的限位部。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体加工腔室以及晶圆处理方法
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