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申请/专利权人：上海新漫晶体材料科技有限公司

摘要：本发明公开了一种LYSO晶片的制造保护方法，包括晶片第1面和第2面粘接固定；晶片第1面和第2面研磨抛光；晶片群第3面和第4面研磨抛光；晶体群二型保护片固定；小晶体群切割；晶片群第3面3和第4面4研磨抛光；小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光；保护片脱离等步骤，最终的小晶体群的尺寸为18.1×2.76×2.76mm；并将一型保护片和二型保护片拆除；最终的LYSO晶片；本发明采用了LYSO晶片的制造方法，尤其在小截面的LYSO晶片的制造方面，减少了发生崩边等问题，提升了晶片的质量，降低了加工成本使得LYSO晶片在上述的研磨时晶片可以得到有效保护，降低了成本。

主权项：1.一种LYSO晶片的制造保护方法，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S10：晶片第1面和第2面粘接固定：先将切割后尺寸为长为46.5mm-46.6mm,高为18.6mm-18.8mm,宽为2.9mm-2.92mm；单晶片的第1面和第2面研磨抛光，将经过第一次研磨抛光的晶片第1面和第2面用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接，然后以10片一批次沿第1面和第2面将单晶片粘接固定，最外两侧粘接一型保护片，得到晶体群；步骤S20：晶片第1面和第2面研磨抛光：将步骤S10中得到的晶片群，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂，粗磨厚度至2.81mm；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光尺寸至2.76mm±0.01mm；步骤S30：晶片群第3面和第4面研磨抛光：将步骤S20中得到的晶片群翻转，再将晶片群第3面和第4面，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，抛光至高度为18.10mm±0.01mm；步骤S40：晶体群二型保护片固定：将S30中得到的晶体群的最外侧晶片的第3面和第4面与二型保护片用UV紫外固化胶在紫外装置下粘接固定；步骤S50：切割：将步骤S40中的晶体群用内圆切割机沿第3面和第4面切割加工，切削厚度2.9mm；得到切割后的小晶体群；步骤S60：晶片群第5面和第6面研磨抛光：将步骤S50中得到的小晶体群的第5面和第6面进行研磨抛光，在双面研磨机粗研磨，研磨液为金刚砂；然后放置在精抛光机抛光，抛光液为CeO2，最终的小晶体群的尺寸：长度为18.1mm-18.11mm,高度为2.76-2.77mm,宽度为2.76mm-2.77mm；步骤S70：保护片脱离：将一型保护片和二型保护片，经加热后与晶片脱离，然后酒精擦拭小晶体群，将紫外固化胶擦拭掉，得到最终的LYSO晶片。

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