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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2020-01-09

公开（公告）日：2020-09-29

公开（公告）号：CN111725310A

专利技术分类：.....受场效应控制的[2006.01]

专利摘要：本发明涉及半导体装置及半导体电路。实施方式的半导体装置具备半导体层，该半导体层具有第1面及第2面，从第1面侧向第2面侧依次具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、与第2半导体区域相比第2导电型杂质浓度较高的第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域及第2导电型的第5半导体区域，并具有第1面侧的第1沟槽及第2沟槽，半导体装置具备第1沟槽的第1栅极电极、与第5半导体区域相接的第1栅极绝缘膜、第2沟槽之中的第2栅极电极、第2栅极绝缘膜、第1面侧的第1电极、第2面的第2电极、与第1栅极电极电连接的第1栅极电极焊盘及与第2栅极电极电连接的第2栅极电极焊盘。

专利权项：1.一种半导体装置，具备：半导体层，具有第1面及与上述第1面对置的第2面，并且具有：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设在上述第1半导体区域与上述第1面之间；第2导电型的第3半导体区域，设在上述第2半导体区域与上述第1面之间，与上述第2半导体区域相比，第2导电型杂质浓度较高；第1导电型的第4半导体区域，设在上述第3半导体区域与上述第1面之间；第2导电型的第5半导体区域，设在上述第4半导体区域与上述第1面之间；第1沟槽，设在上述第1面侧，距上述第2面的第1距离小于从上述第2面到上述第4半导体区域的距离；以及第2沟槽，设在上述第1面侧，距上述第2面的第2距离小于从上述第2面到上述第4半导体区域的距离；第1栅极电极，设在上述第1沟槽之中；第1栅极绝缘膜，设在上述第1栅极电极与上述第4半导体区域之间、上述第1栅极电极与上述第5半导体区域之间，与上述第5半导体区域相接；第2栅极电极，设在上述第2沟槽之中；第2栅极绝缘膜，设在上述第2栅极电极与上述第3半导体区域之间、上述第2栅极电极与上述第4半导体区域之间；第1电极，设在上述半导体层的上述第1面侧，与上述第5半导体区域电连接；第2电极，设在上述半导体层的上述第2面侧，与上述第1半导体区域电连接；第1栅极电极焊盘，设在上述半导体层的上述第1面侧，与上述第1栅极电极电连接，被施加第1栅极电压；以及第2栅极电极焊盘，设在上述半导体层的上述第1面侧，与上述第2栅极电极电连接，被施加第2栅极电压。

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