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一种优质大尺寸BiBO晶体熔盐法生长的装置和方法 

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申请/专利权人:福建福晶科技股份有限公司

摘要:一种优质大尺寸BiBO晶体熔盐法生长的装置和方法,采用特纯Bi2O3和B2O3按比例配制并充分研磨混合,梯度高温预烧获得晶体生长多晶料,选择刚玉坩埚、合料炉、附带一对光滑搅拌杆的籽晶杆、铂坩埚和熔盐炉为生长装置。将晶体生长多晶料加热熔化,采用在晶体生长过程中籽晶杆上附带的一对光滑搅拌杆加强对生长熔体的搅拌的顶部籽晶熔体法晶体生长工艺,解决了因为低熔点、高粘稠度的BiBO晶体生长熔体易于自然成核,同时提高单晶在生长过程中的质量输送,有利于优质大尺寸的BiBO晶体在均匀的熔体表面或熔体中顺利生长。

主权项:1.一种优质大尺寸BiB3O6BiBO晶体熔盐法生长的装置和方法,采用特纯的氧化铋和氧化硼为初始原料,选择刚玉坩埚、合料炉、铂籽晶杆、铂坩埚和熔盐炉为生长装置,其特征在于,包括以下操作:(1)按化学计量比称取特纯的氧化铋和氧化硼,氧化硼约5%~10%摩尔分数过量,充分研磨后装入刚玉坩埚,置于合料炉内反复预烧,,发生固相反应获得晶体生长多晶料;(2)将晶体生长多晶料放入铂坩埚内置合料炉中熔化,获取晶体生长熔体;(3)将铂坩埚移到熔盐生长炉,在饱和温度上3℃用籽晶尝试法寻找晶体生长点;(4)采用在晶体生长过程中加强熔体搅拌的顶部籽晶熔体法晶体生长工艺在熔体表面或熔体中进行晶体生长;(5)待晶体生长到受制尺寸后,提起晶体使其脱离液面,以30℃h的速率降至室温,便可获得优质大尺寸BiBO晶体。

全文数据:

权利要求:

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