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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种BTS型MOSFET结构及其制备方法，该结构通过在体引出区内设置掺杂离子与阱区相同且掺杂浓度超过阱区的二次掺杂区，该二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离，可以使得场氧区的寄生晶体管的阈值开启电压足够大，即场氧区的杂质浓度足够高，从而有效地抑制寄生晶体管的开启。该方法几乎不影响MOS器件主体区域的浓度，通过该方法能够有效地抑制寄生晶体管效应，显著提高器件的可靠性，形成抗边缘漏电的BTS型MOSFET结构。
主权项：1.一种BTS型MOSFET结构，其特征在于，所述MOSFET结构包括：硅衬底，位于所述硅衬底上方的有源区、场注入区、体引出区、栅介质层以及栅区；其中，所述有源区包括源区、漏区以及沟道区，所述体引出区沿所述源区的长度方向设置于所述源区的两端，且与所述源区以及所述栅区下方的阱区均部分重叠；所述体引出区内设置有二次掺杂区，所述二次掺杂区中的掺杂离子与所述阱区相同，掺杂浓度超过所述阱区的掺杂浓度，所述二次掺杂区包含体引出有源区与场注入区之间的部分交界区域，且所述二次掺杂区的边缘与所述栅区之间间隔预设距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种BTS型MOSFET结构及其制备方法
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