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申请/专利权人：长春长光圆辰微电子技术有限公司
摘要：本发明提供一种在GOI生产中减少CMP大面积边缘剥落的方法，包括以下步骤：S1、通过化学气相沉积法分别在长锗硅片和普通硅片表面沉积预设厚度的二氧化硅；S2、对长锗硅片进行改良磨边工艺处理；S3、对普通硅片进行常规化学机械抛光处理，对长锗硅片进行改良化学机械抛光工艺处理，分别得到表面二氧化硅厚度为和长锗硅片和普通硅片；S4、将长锗硅片和普通硅片依次进行键合、退火和减薄处理。本发明通过将普通硅片和长锗硅片相键合的方式，可使GOI硅片在CMP后的边缘剥落控制在7mm左右，大大减少了其边缘剥落的面积，可用面积增加了50％左右，大大提高了GOI硅片的生产良率。
主权项：1.一种在GOI生产中减少CMP大面积边缘剥落的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、通过化学气相沉积法分别在长锗硅片和普通硅片表面沉积预设厚度的二氧化硅；S2、对所述长锗硅片进行改良磨边工艺处理；S3、对所述普通硅片进行常规化学机械抛光处理，对所述长锗硅片进行改良化学机械抛光工艺处理，分别得到表面二氧化硅厚度为的长锗硅片和普通硅片；S4、将所述长锗硅片和所述普通硅片依次进行键合、退火和减薄处理。
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