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申请/专利权人：圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要：基于CMOS工艺的低压运算放大器降低THD的输出级电路，通过在反馈式AB类输出级结构的基础上引入第一运算放大器和第二运算放大器的组合以降低整个电路所需要的电压余度，并引入第三运算放大器和第四运算放大器的组合以使得低压运放输出级的电流得到有效控制，使得输出级在输出变化剧烈时也能使增益不变，这使得整个运放的非线性失真得到了有效的改善，从而降低总谐波失真THD。
主权项：1.基于CMOS工艺的低压运算放大器降低THD的输出级电路，其特征在于，包括输出电压端，所述输出电压端分别连接第四PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极，所述第四PMOS管的源极和衬底均连接电源电压端，所述电源电压端通过第二电流源分别连接第三NMOS管的漏极和第四运算放大器的负输入端，所述第三NMOS管的源极和衬底均连接接地端，所述第三NMOS管的栅极连接所述第四运算放大器的输出端，所述第四运算放大器的正输入端连接所述输出电压端，所述接地端通过第四电流源分别连接第三运算放大器的负输入端和第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的源极和衬底均连接所述电源电压端，所述第三PMOS管的栅极连接所述第三运算放大器的输出端，所述第三运算放大器的正输入端连接所述输出电压端。
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