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申请/专利权人：杭州蔚斯博系统科技有限公司
摘要：本发明公开了一种考虑硅MOSFET反向恢复的临界导通模式图腾柱PFC的THD优化方法，该方法采用开关周期内电感电流三角波平均的方法，重新推导出导通时间的表达式，从导通时间的表达式可以看出通过增加导通时间来抵消由MOSFET的体二极管严重的反向恢复过程和谐振过程共同产生的负向电流，从而实现图腾柱PFC的THD优化。本发明无需额外搭建硬件电路，仅仅需要原有的数字控制器根据推导出的公式通过实时计算重新调整导通时间即可实现对THD的优化，大大降低了电路控制复杂程度与成本。
主权项：1.一种考虑硅MOSFET反向恢复的临界导通模式CRM图腾柱PFC的THD优化方法，其特征在于，该方法通过对导通时间进行优化从而实现图腾柱PFC的THD优化；所述导通时间Ton的计算方法为：Ton作为开关管导通时间开始进行一个周期运行，一个开关周期的电感电流近似成三角形，故一个开关周期内的平均电感电流IL_avg为： 其中，Ippk为正向峰值电流，Inpk为负向峰值电流；输入参考电流为： 其中，Po为输出功率，Urms为输入电压有效值，fline为交流输入电压频率，t为时间，Vin为输入电压；忽略输入滤波电容的影响，令平均电感电流等于输入参考电流，则IL_avg＝Iin_ref3每个开关周期的正向峰值电流为： 其中，L为电感值；根据谐振状态方程，负向谐振峰值电流为： 其中，Vo为输出电压，IR为续流管体二极管的反向恢复结束之后负向电感电流的值，ZL为谐振阻抗；MOSFET反向恢复结束之后IR的表达式为：IR＝a-b·Vin·Ippk6其中a,b是校准系数，通过实验测量拟合获得；联立1、2、3、4、5、6可得 其中，谐振等效电容Ceq为两个高频管寄生电容之和。
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百度查询： 杭州蔚斯博系统科技有限公司 一种考虑硅MOSFET反向恢复的临界导通模式图腾柱PFC的THD优化方法
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