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申请/专利权人：暨南大学
摘要：本发明属于层状材料光电探测技术领域，提供了一种层状阵列化TMDC少层过渡金属硫族化物异质结、光电探测器及其制备方法。本发明提供的层状阵列化TMDC异质结，包括层叠设置的第一层状TMDC和第二层状TMDC；所述第一层状TMDC具有纳米阵列结构。本发明的异质结中，第一层状TMDC具有的阵列结构，提高了层状TMDC的光学增强效应；同时，光学增强效应促进了光生载流子的产生以及电子与空穴对的分离，进而使得由层状阵列化TMDC异质结构建的光电探测器具有较高的光响应度和较快的响应时间；另外，在不同偏振下纳米阵列结构的光学共振具有差异，同样在进行光电探测时，丰富了光电探测器的偏振敏感探测能力。
主权项：1.一种层状阵列化TMDC异质结，其特征在于，包括层叠设置的第一层状TMDC和第二层状TMDC；所述第一层状TMDC具有纳米阵列结构；所述第一层状TMDC和第二层状TMDC的材质不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 暨南大学 一种层状阵列化TMDC异质结、光电探测器及其制备方法
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