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申请/专利权人：苏州森丸电子技术有限公司
摘要：本发明公开了一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，从设计上降低深宽比，降低填充难度，可实现较厚玻璃晶圆的TGV互联；以涂胶层作为缓冲层，通过刻蚀处理形成多个通孔结构，并以通孔内的导电柱作为引脚连接互联层，形成间断分布的互联层，减少导电互联层的使用体积，经过高温时热膨胀量较小，同时间断部的涂胶材料也可以起到缓冲作用，另外，接触部分是通过多个导电柱相连接，增加了导通的可能性，提升器件的稳定性。
主权项：1.一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、将玻璃晶圆进行清洗150-1000μm，制作TGV连通孔；S2、通孔改性，20μm直径过孔，深度为150～-1000μm；S3、通孔改性，50-200μm直径过孔，深度为14～34的玻璃晶圆厚度，形成沉孔；S4、采用HF或者高温碱工艺，进行湿法腐蚀，形成喇叭状的沉孔；S5、在TGV连通孔侧壁、底部表面及玻璃晶圆上表面填充金属黏附层，厚度小于2μm；S6、在TGV连通孔侧壁、沉孔底部填充导电层；S7、在TGV连通孔的沉孔上部涂覆具有光敏性能的树脂材料，形成涂胶层；S8、曝光；S9、显影、刻蚀、填充导电材料，通过与导电层连通的引脚形成间断分布的互联层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州森丸电子技术有限公司 一种TGV玻璃晶圆通孔填充工艺及玻璃晶圆
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