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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：本发明提供一种确定SRAF曝光时的光强阈值的方法，方法包括：于测试版图中选出添加有SRAF的目标图形；设定光刻机曝光时的能量‑焦距矩阵，对测试版图掩膜版进行曝光以得到曝光图形矩阵；判断曝光图形矩阵中是否存在曝光所述SRAF的第一曝光图形，若判断结果为是，获取第一曝光图形所对应的能量，并通过光学量测获取所述能量下目标图形的特征尺寸随焦距的变化曲线；根据目标图形的特征尺寸与预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述SRAF的第二曝光图形，并根据第二曝光图形的曝光参数得到SRAF曝光的光强阈值。通过本发明解决了以现有的人为判断的方法所造成的判断误差较多的问题。
主权项：1.一种确定SRAF曝光时的光强阈值的方法，其特征在于，所述方法包括：于测试版图中选出添加有SRAF的目标图形，且所述SRAF在进行曝光时能够曝光于晶圆上；设定光刻机曝光时的能量-焦距矩阵，对所述测试版图掩膜版进行曝光以得到曝光图形矩阵；判断所述曝光图形矩阵中是否存在曝光所述SRAF的第一曝光图形，若判断结果为是，获取所述第一曝光图形所对应的能量，并通过光学量测获取所述能量下所述目标图形的特征尺寸随焦距的变化曲线；根据所述目标图形的所述特征尺寸与预设目标尺寸之间的偏差值以得到曝光出所述SRAF的第二曝光图形，并根据所述第二曝光图形的曝光参数得到所述SRAF曝光的光强阈值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 确定SRAF曝光时的光强阈值的方法
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