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摘要：本发明公开了一种采用缺陷地结构的TRL校准件，包括：直通件、反射件和延迟件；该直通件、反射件和延迟件的微带线下方的参考地上均设置有缺陷地结构；其中，该缺陷地结构由相互平行的多个相同的凹槽构成。采用本发明实施例能通过缺陷地结构提高TRL校准件介质的电磁场分布，增加电磁波的电长度，缩小TRL校准件的尺寸。
主权项：1.一种采用缺陷地结构的TRL校准件，其特征在于，所述TRL校准件包括直通件、反射件和延迟件；所述直通件、所述反射件和所述延迟件的微带线下方的参考地上均设置有缺陷地结构；其中，所述缺陷地结构由相互平行的多个相同的凹槽构成；每个所述凹槽的形状、尺寸均相同，每相邻两个所述凹槽的间距均相同；所述直通件的缺陷地结构长度与所述直通件本身长度相等；所述反射件的缺陷地结构长度与所述反射件本身长度相等；所述延迟件的缺陷地结构长度与所述延迟件本身长度相等。
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