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摘要：本发明公开了一种高质量UAs2单晶的双温区气相输运生长方法，涉及晶体生长的技术领域，包括两个部分，第一部分为样品制备前的准备过程，第二部分为双温区气相输运生长过程，第一部分中按U238原料：As原料按原子比1：2.01～2.20进行配料，在放入气相输运管底部；I2作为气相运输剂按3mgcm3～5mgcm3进行称量放入气相输运管底部；第二部分中，气相输运管放入双温区管式炉中，气相输运管经过升温处理后在进行保温处理，降温到室温；得到高品质高纯度的单晶产品；本发明使用双温区气相输运法，可以实现厘米级尺寸的大单晶样品；通过适当的前期准备和合理的生长条件，能够获得高质量的单晶样品。
主权项：1.一种高质量UAs2单晶的双温区气相输运生长方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、准备纯度大于等于99.9％的U238原料、纯度大于等于99.99％的As原料、纯度大于等于99.99％的I2原料、气相输运管和石英塞；S2、对U238原料进行表面打磨、清洗和干燥处，对气相输运石英管和石英塞进行清洗和干燥处理；S3、将步骤S1中的As原料和I2原料以及经过步骤S2处理的U238原料、气相输运石英管和石英塞一并放入充满惰性气体的手套箱中；S4、在手套箱中，将U238原料：As原料按原子比1：2.01～2.20进行配料，在放入气相输运管底部；I2作为气相运输剂按3mgcm3～5mgcm3进行称量放入气相输运管底部；S5、经过步骤S4处理的气相输运管中放入石英塞，在手套箱内惰性气体环境内对气相输运管进行密封后，取出手套箱；S6、将经过步骤S5处理的气相输运管进行抽真空处理，真空度小于等于1*10-3Pa；S7、将经过步骤S6处理的气相输运管进行密封，使得气相输运管融化处完全贴合石英塞；S8、将经过步骤S7处理的气相输运管放入双温区管式炉中，放有原料的为反应端，反应端温度控制在900±10℃，石英塞处为密封端，密封端温度控制在750±10℃，气相输运管经过升温处理后在进行保温处理，降温到室温；S9、取出经过步骤S8处理的气相输运管，破开气相输运管，得到厘米级的UAs2单晶样品。
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百度查询： 中国工程物理研究院材料研究所 一种高质量UAs2单晶的双温区气相输运生长方法
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