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申请/专利权人:合肥矽普半导体科技有限公司
摘要:本实用新型属于半导体技术领域,具体涉及一种改善FOM性能的SJMOSFET器件,包括外延层和柱区,还包括至少一沟槽,沟槽位于外延层上,沟槽内下部设置有柱区;沟槽内还具有:一栅极多晶硅,栅极多晶硅位于沟槽内上部;一隔离氧化物层,隔离氧化物层位于栅极多晶硅和柱区之间,由隔离氧化物层将栅极多晶硅和柱区隔开;一栅极氧化物介质层,栅极氧化物介质层位于栅极多晶硅与沟槽之间,由栅极氧化物介质层将栅极多晶硅和沟槽隔开,栅极氧化物介质层的底部连接隔离氧化物层。本实用新型通过增设器件沟道结构,将柱区和栅极多晶硅设置在沟道内,这种设计,可以降低导通电阻,进而降低FOM,进而提高SJMOSFET器件的性能。
主权项:1.一种改善FOM性能的SJMOSFET器件,所述改善FOM性能的SJMOSFET器件包括外延层和柱区,其特征在于,所述改善FOM性能的SJMOSFET器件还包括至少一沟槽,所述沟槽位于所述外延层上,所述沟槽内下部设置有所述柱区;所述沟槽内还具有:一栅极多晶硅,所述栅极多晶硅位于所述沟槽内上部;一隔离氧化物层,所述隔离氧化物层位于所述栅极多晶硅和所述柱区之间,由所述隔离氧化物层将所述栅极多晶硅和所述柱区隔开;一栅极氧化物介质层,所述栅极氧化物介质层位于所述栅极多晶硅与所述沟槽之间,由所述栅极氧化物介质层将所述栅极多晶硅和所述沟槽隔开,所述栅极氧化物介质层的底部连接所述隔离氧化物层。
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百度查询: 合肥矽普半导体科技有限公司 改善FOM性能的SJ MOSFET器件
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