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申请/专利权人：北京国音红杉树教育科技有限公司

摘要：本发明涉及智能记忆方法技术领域，尤其涉及一种计算单词最佳复习时间的方法及设备，包括为用户生成学习单词的中文释义或者外文释义，获取用户对学习单词的的学习信息，所述学习信息包括用户对所述学习单词的记忆强度值、标记信息、时间信息，根据所述记忆强度值、标记信息、时间信息计算复习间隔时长和最佳复习时间点；通过记忆强度值、标记信息、时间信息来计算最佳复习时间点的方法，合理地解决了用户盲目复习、无法找到最佳复习时间的技术问题，达到了提高学习效率、有效安排学习计划的技术效果。

主权项：1.一种计算单词最佳复习时间的方法，其特征在于，包括：为用户生成学习单词的中文释义或者外文释义，获取用户对学习单词的的学习信息，所述学习信息包括用户对所述学习单词的记忆强度值、标记信息、时间信息；根据所述记忆强度值、标记信息、时间信息计算复习间隔时长和最佳复习时间点；所述计算复习间隔时长和最佳复习时间点包括：计算用户在初次学习或再次复习后第一最佳复习时间点；当所述学习单词标记信息为新词且用户答错时，所述第一最佳复习时间点的计算公式为Tbr1＝Trc1+D1,其中Tbr1为第一最佳复习时间点，Trc1为初学时间点，D1为第一复习间隔时长；当所述学习单词标记信息为生词且用户答对时，Tbr1＝Trc2+D1，Trc2为当前复习时间点；当所述学习单词标记信息为生词且用户答错或超时作答时，Tbr1＝Tbr1＇+D1，其中Tbr1＇为上次学习完成后的第一最佳复习时间点；所述第一复习间隔时长的计算公式为：D1＝C1×ep，P＝C2×Snμ+C3，其中D1为第一复习间隔时长，C1为幂值系数，e为自然常数，P为幂值，C2为强度系数，Sn为第一当前记忆强度，C3为幂值常量，μ为计算常量；所述第一当前记忆强度Sn的确定包括：当所述学习单词为初次学习的新词时，所述当前记忆强度Sn根据上述记载为第二初始记忆强度值或第三初始记忆强度值；当所述学习单词为复习过程中的生词时Sn＝Sn＇+Sni,其中Sn＇为记忆强度基础值，Sni为记忆强度变化值；所述记忆强度变化值Sni还包括反应时长影响值，所述反应时长影响值的计算公式为：Rd＝1-Mrd20×Srd,其中Mrd为作答时长，Srd为反应时长影响记忆强度基础值，Rd为反应时长影响值；所述记忆强度变化值Sni还包括难度影响值，所述难度影响值计算公式为：Df＝Dti×Mdt,Dti＝Dm+Am,Dm＝Rwr×λ,Rwr＝CrwCrt；所述Df为难度影响值，Dti为难度指数，Mdt为难度指数影响记忆强度基础值，Dm为学习数据计算难度，Am为人工标注难度，Rwr为用户再次复习过程中对所述生词作答的错误率，λ为难度标记，Crw为用户再次复习过程中答错所述生词的总次数，Crt为用户再次复习过程中对所述生词作答的总次数。

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