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申请/专利权人：湖南兴芯微电子科技有限公司
摘要：本发明提供了一种PSRAM相位校准方法及控制器，其控制器包括：系统控制模块、接口控制模块、相位校准模块，其中系统控制模块，用于控制PSRAM控制器的状态；接口控制模块，用于实现PSRAM协议和时序；接口控制模块包括一读延迟链、一写延迟链；写延迟链用以调整写时钟和其他信号的延迟关系，读延迟链用以调整STROBE信号和DQ之间相位关系；相位校准模块使用突发读写命令，通过向PSRAM设备写入特定的数据后读取比较的方式，根据结果计算调整接口控制模块读延迟链和写延迟链，完成相位校准。
主权项：1.一种PSRAM控制器，包括：系统控制模块、接口控制模块、相位校准模块，其中系统控制模块，用于控制PSRAM控制器的状态；接口控制模块，用于实现PSRAM协议和时序；其特征在于：接口控制模块包括一读延迟链、一写延迟链；写延迟链用以调整写时钟和其他信号的延迟关系，读延迟链用以调整STROBE信号和DQ之间相位关系；所述读延迟链包括两级延迟链，一级延迟链由上升和下降沿延迟平衡的标准单元串联而成，通过数据选择器输出进行细调整，二级延迟链由多个一级延迟链串联构成，通过数据选择器输出进行粗调；相位校准模块使用突发读写命令，通过向PSRAM设备写入特定的数据后读取比较的方式，根据结果计算调整接口控制模块读延迟链和写延迟链，完成相位校准。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南兴芯微电子科技有限公司 一种PSRAM相位校准方法及控制器
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