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申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司
摘要：本发明公开了一种具有HighK介质的超结SGT结构及其制作方法，具体包括N+衬底，所述的N+衬底上方有N型外延，所述的N型外延与P型外延形成交替的N柱和P柱，所述的P柱之间有沟槽，沟槽中包括厚二氧化硅层、源极多晶硅、HighK介质层、栅极氧化层、栅极多晶硅，所述的P柱上方有P型体区，所述P型体区上方形成N+源区，所述的N型外延上方有介质层和金属。本结构是超结SGT结构设计，超结结构可以实现高压设计，并可以在相同击穿电压下减小导通电阻，其HighK介质层可以有效增强漂移区中部电场，提高N‑rich和P‑rich状态下的BV值，有利于缓解BV窗口不足问题。
主权项：1.一种具有HighK介质的超结SGT结构的制作方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤一：在重掺杂N+衬底分两次生长N型外延，第二次外延电阻率小于第一次外延电阻率；步骤二：在N型外延上刻蚀深沟槽，通过热氧化在硅表面形成氧化层，然后刻蚀掉氧化层；步骤三：在深沟槽生长P型外延，即P柱，并通过热氧化在硅表面形成氧化层，然后刻蚀掉氧化层；步骤四：利用光刻工艺在P柱之间刻蚀形成沟槽2；步骤五：通过干法氧化加湿法氧化的方式在硅表面形成厚二氧化硅层，即侧壁氧化层；步骤六：通过化学淀积工艺在沟槽2中淀积源极多晶硅，并回刻源极多晶硅；步骤七：通过湿法刻蚀工艺刻蚀侧壁氧化层，使侧壁氧化层的表面低于源极多晶硅表面；步骤八：淀积HighK介质，并回刻HighK介质至源极多晶硅的上表面下方；步骤九：通过热氧化工艺在硅表面热生长形成栅极氧化层；步骤十：在沟槽2内淀积栅极多晶硅，并回刻栅极多晶硅至栅极氧化层的表面下方；步骤十一：刻蚀上表面部分厚度的栅极氧化层，通过光刻在沟槽2两侧进行硼和砷的注入，并分别通过高温退火工艺形成P型体区和N+源区，N+源区位于沟槽2两侧且不连通；步骤十二：淀积层间介质层；步骤十三：刻蚀层间介质层形成接触孔，并进行BF2和B注入，形成良好的欧姆接触，淀积正面金属，并对正面金属进行图形化形成栅极和源极；步骤十四：淀积钝化层，并进行图形化形成电极打线区域，最后进行衬底减薄和背金工艺。
全文数据：
权利要求：
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