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申请/专利权人：南京华瑞微集成电路有限公司

摘要：本发明公开了一种ONO结构的SGTMOSFET器件及其制备方法，制备方法如下：以N型晶向为衬底，生长外延片；通过光刻、刻蚀沟槽；在沟槽侧壁生长一层氧化层；在外延层和沟槽表面淀积一层氮化硅薄膜；在氮化硅薄膜上，形成氧化层；在沟槽内，淀积、刻蚀屏蔽栅多晶硅；将氧化层刻蚀至距离屏蔽栅多晶硅上平面以下2～4um；在沟槽中生长氧化层；去除氮化硅，形成IPO层；在IPO层和侧壁栅氧化层之间的缝隙处，淀积一层TEOS；将侧壁的TEOS腐蚀干净；在沟槽、氧化层之上，进行多晶淀积、光刻、刻蚀；形成N+区和P阱；形成欧姆接触孔；沉淀金属层。制备方法得到的器件能提高外延掺杂浓度，降低器件Rsp水平，减小导通损耗。

主权项：1.一种ONO结构的SGTMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：S1，制作外延片；S2，通过光刻、刻蚀沟槽；S3，在沟槽侧壁生长一层厚度为500～1000埃的氧化层，生长温度为950℃～1050℃，根据Vth调整氧化层厚度；S4，在外延层和沟槽表面淀积一层氮化硅薄膜，厚度为200～500埃；S5，在氮化硅薄膜上，通过干-湿-干法的氧化和CVD方法形成氧化层，氧化层的厚度为1000～5000埃；S6，在沟槽内，淀积、刻蚀屏蔽栅多晶硅；S7，通过湿法刻蚀，将氧化层刻蚀至距离屏蔽栅多晶硅上平面以下2～4μm；S8，在沟槽中生长2500～4000埃的氧化层，作为屏蔽栅极和控制栅极之间的隔离层；S9，通过湿法刻蚀去除部分氮化硅；S10，在隔离层和侧壁氧化层之间的缝隙处，淀积一层四乙基正硅酸酯；S11，通过湿法腐蚀，将侧壁的四乙基正硅酸酯腐蚀干净；S12，在沟槽、氧化层之上，进行多晶硅淀积、光刻、刻蚀；S13，在外延片表面自上而下依次形成N+区和P阱；在外延片表面注入B元素，能量为60Kev～120Kev，1100℃60min退火形成P阱；退火过程中需要通入氧气，在Si表面形成一层氧化层；对于N+区，注入元素为As元素，能量60Kev，退火条件为950℃60min；S14，通过介质淀积及孔刻蚀、孔注入、退火和钨金属填充回刻，形成欧姆接触孔；注入元素为BF2B，剂量为2E14-5E14atmcm3，能量为30-40Kev；快速退火条件：950℃30s；采用TiTiN层淀积和钨金属填充回刻，形成欧姆接触孔；S15，在钨金属和欧姆接触孔表面，沉淀金属层。

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