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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SGT器件的制造方法。包括以下步骤：提供半导体层，刻蚀半导体层形成深沟槽结构；在深沟槽结构中制造位于深沟槽结构下部的屏蔽栅结构和将屏蔽栅结构与半导体层隔离开的第一氧化层，使得深沟槽结构的上部形成填充空间；在第一填充空间侧面和半导体层的上表面形成栅氧层；沉积控制栅多晶硅，使得控制栅多晶硅填充满带有栅氧层的填充空间；通过选择性干法刻蚀工艺对栅氧层和控制栅多晶硅进行回刻蚀，使得栅氧层刻蚀去除第一目标回刻蚀厚度，使得控制栅多晶硅刻蚀去除第二目标回刻蚀厚度；沉积层间介质层，层间介质层填充满深沟槽结构的顶端后反包在半导体层上。
主权项：1.一种SGT器件的制造方法，其特征在于，所述SGT器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体层，刻蚀所述半导体层形成深沟槽结构；在所述深沟槽结构中制造位于所述深沟槽结构下部的屏蔽栅结构和将所述屏蔽栅结构与半导体层隔离开的第一氧化层，使得所述深沟槽结构的上部形成填充空间；在所述第一填充空间侧面和所述半导体层的上表面形成栅氧层；沉积控制栅多晶硅，使得所述控制栅多晶硅填充满带有所述栅氧层的填充空间；通过选择性干法刻蚀工艺对所述栅氧层和所述控制栅多晶硅进行回刻蚀，使得所述栅氧层刻蚀去除第一目标回刻蚀厚度，使得所述控制栅多晶硅刻蚀去除第二目标回刻蚀厚度；进行离子注入，在所述深沟槽结构两侧的半导体层的顶部形成源区；沉积层间介质层，所述层间介质层填充满所述深沟槽结构的顶端后反包在所述半导体层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 SGT器件的制造方法
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