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申请/专利权人：杭州富芯半导体有限公司
摘要：本申请提供一种获取离子注入监测程式剂量的方法，包括：确定初始监测程式；获取初始监测程式的热波合格控制线；提供监测晶圆，以初始监测程式的离子注入参数作为注入条件对监测晶圆进行离子注入，测量热波值并退火处理；判断监测晶圆在重复过程中热波值是否在热波合格控制线范围，若重复过程中热波值处于热波合格控制线范围，则注入剂量为离子注入监测程式剂量，若重复过程中至少一热波值未处于热波合格控制线范围，则降低注入剂量，重复上述步骤。本申请中调控注入剂量获取目标注入能量下合适的注入剂量用于日常监测，把监测晶圆循环过程中造成的热波上升影响控制在热波合格控制线范围，从而较好的监测机台稳定性。
主权项：1.一种获取离子注入监测程式剂量的方法，其特征在于，包括以下步骤：确定初始监测程式，所述初始监测程式包括离子注入参数以及监测晶圆的循环次数，所述离子注入参数包括注入元素、注入能量和注入剂量；获取所述初始监测程式的热波合格控制线；提供监测晶圆，以所述初始监测程式的离子注入参数作为注入条件，对所述监测晶圆进行离子注入，测量热波值，并退火处理，所述监测晶圆重复离子注入、测量热波值及退火处理，重复次数为监测晶圆的循环次数；判断所述监测晶圆在重复过程中热波值是否在所述热波合格控制线范围内，若重复过程中热波值处于所述热波合格控制线范围内，则注入剂量为离子注入监测程式剂量，若重复过程中至少一热波值未处于所述热波合格控制线范围内，则降低注入剂量，重复上述步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州富芯半导体有限公司 一种获取离子注入监测程式剂量的方法
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