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申请/专利权人：希尔纳公司
摘要：一种硅基调制器包括：波导芯1，其为PN结区域12；第一过渡区域2，其是在横向方向上与波导芯1相邻的P侧区域16；第二过渡区域2，其是在横向方向上与波导芯1相邻的并且与第一过渡区域2位于相反侧上的N侧区域16；与第一过渡区域2相邻的第一电接触区域3；以及与第二过渡区域2相邻的第二电接触区域3，其中，第一过渡区域和第二过渡区域中的至少一个沿纵向方向具有掺杂浓度的变化。
主权项：1.一种硅基调制器10，其包括：波导芯1，其是PN结区域12；第一过渡区域2，其是与所述波导芯1和第一电极14相邻的P侧区域16；第二过渡区域2，其是在与所述第一过渡区域2相反的方向上与所述波导芯1和第二电极14相邻的N侧区域16；其中，所述第一过渡区域2和所述第二过渡区域2中的一个或更多个的厚度在横向方向、纵向方向、以及横向方向和纵向方向二者中的任一上是可变的，所述横向方向和所述纵向方向中的每一个是相对于所述波导芯1而言的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 希尔纳公司 具有优化的掺杂分布和不同过渡区域厚度的硅基调制器
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