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摘要：本发明公开了一种SAW‑BAW混合谐振器，包括依次排列的第一电极层、第一压电薄膜层、第二压电薄膜层、第二电极层以及衬底层；第一电极层与第一压电薄膜层在衬底层上的正投影重合，第二压电薄膜层与第二电极层在衬底层上的正投影重合；第一电极层与第一压电薄膜层组成的整体周期性且等间隔的布置在第二压电薄膜层上；第二压电薄膜层的压电耦合常数比第一压电薄膜层的更低且其声阻抗比第一压电薄膜层的更高。本发明的SAW‑BAW混合谐振器，利用西沙瓦波模式，可以兼具高频、高K2和高Q值等优良特性；不仅能有效抑制瑞利波和体波引起的杂波响应，且结构简单、降低了器件的制作难度和生产成本，极具应用前景。
主权项：1.一种SAW-BAW混合谐振器，其特征在于，包括依次排列的第一电极层、第一压电薄膜层、第二压电薄膜层、第二电极层以及衬底层；所述第一电极层与第一压电薄膜层在衬底层上的正投影重合，第二压电薄膜层与第二电极层在衬底层上的正投影重合；所述第一电极层与第一压电薄膜层组成的整体周期性且等间隔的布置在所述第二压电薄膜层上；所述第二压电薄膜层的压电耦合常数比第一压电薄膜层的更低且其声阻抗比第一压电薄膜层的更高；所述第一压电薄膜层为掺钪氮化铝薄膜，掺钪氮化铝薄膜中钪的掺杂摩尔百分比为10％～40％；所述第二压电薄膜层为氮化铝薄膜；所述第一压电薄膜层的薄膜标准化厚度d及第一压电薄膜层和第二压电薄膜层的标准化厚度之和h满足如下关系：0≤d≤0.9λ；0.1λ≤h≤0.9λ；0≤ratio≤1，ratio＝dh；其中，λ为声表面波波长。
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百度查询： 上海师范大学 一种SAW-BAW混合谐振器
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