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申请/专利权人：江苏亚电科技股份有限公司
摘要：本申请涉及一种硅晶片单面去PSG层方法，包括上料步骤‑水膜形成步骤‑工艺步骤‑清洗步骤‑风干步骤‑冷却步骤‑下料步骤。本申请的方法通过水膜保护上表面、将硅晶片下表面进行腐蚀去掉PSG层，之后再将硅晶片清洗干净，再经过风干、冷却完成清洗，具有清洗效率高，清洗效果好的优点。
主权项：1.一种硅晶片单面去PSG层方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：上料步骤，将硅晶片以水平方向放置到传输辊上，将需要去PSG层的一面朝下；S2：水膜形成步骤，在硅晶片的上表面喷淋形成保护水膜；S3：工艺步骤，将硅晶片通过工艺段传输辊，所述工艺段传输辊的每个辊子具有上液槽，所述工艺段传输辊下方设置有工艺槽，工艺槽内设置有腐蚀液并且所述工艺段传输辊部分淹没于腐蚀液内，所述工艺段传输辊转动时工艺槽内的腐蚀液能够沿上液槽被带动到硅晶片的下表面；S4：清洗步骤，对硅晶片进行清洗；S5：风干步骤，使用具有一定温度的气体对晶圆表面进行风干；S6：冷却步骤，使硅晶片在传输辊上运输一段距离，使硅晶片的温度降低；S7：下料步骤，将硅晶片从传输辊上取下；所述上液槽为螺纹；在S3工艺步骤中，在工艺段传输辊中间位置设有旋转机构，使硅晶片旋转90°；所述旋转机构为若干竖直设置的辊，所述辊上设置有竖直槽，所述辊上设置有竖直方向的槽，槽的设置高度低于硅晶片的上表面；旋转机构与硅晶片的侧边缘进行接触以调整硅晶片的方向，同时，辊上设置的竖直槽能够使清洗液在竖直槽内向上带动；所述工艺步骤前端和后端的传输辊具有若干环状凸起，并在底部设置集液槽，所述工艺段传输辊为两个相互咬合的辊子为一组。
全文数据：
权利要求：
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