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一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法、陶瓷基复合材料 

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申请/专利权人:上海大学;上海大学绍兴研究院

摘要:本发明提供了一种沉积PyCSiC界面相的制备方法,包括以下步骤:S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中,抽真空,在氮气保护下提升温度至950‑1000℃,并控制压力为5‑10kPa,通入丙烯,沉积30min‑2h,关闭丙烯的通入路径,完成PyC的沉积;S2、在步骤S1的基础上,继续将温度提升至1300‑1500℃,并控制压力为3‑10kPa,通入甲基三氯硅烷MTS和氢气,沉积10min‑1h,关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径,完成SiC的沉积,降温并将压力升至常压,得到PyCSiC界面相。本发明的制备方法解决了目前制备的PyCSiC多层界面相无法均匀沉积的问题。

主权项:1.一种沉积PyCSiC界面相的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、将碳纤维预制体置于化学气相沉积炉中,抽真空,在氮气保护下提升温度至950-1000℃,并控制压力为5-9kPa,通入丙烯,沉积30min-2h,关闭丙烯的通入路径,完成PyC的沉积;沉积的PyC的构型为中织构、中高织构或者高织构;S2、在步骤S1的基础上,继续将温度提升至1300-1500℃,并控制压力为3-10kPa,通入甲基三氯硅烷和氢气,沉积10min-1h,关闭甲基三氯硅烷和氢气的通入路径,完成SiC的沉积,降温并将压力升至常压,得到PyCSiC界面相;其中,步骤S2中的沉积压力大于步骤S1中的沉积压力,步骤S2中的沉积时间小于步骤S1中的沉积时间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海大学 上海大学绍兴研究院 一种沉积PyC/SiC界面相的制备方法、陶瓷基复合材料

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