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申请/专利权人：江苏芯长征微电子集团股份有限公司;芯长征微电子制造(山东)有限公司
摘要：本发明涉及一种FCE二极管及制备方法，尤其是一种可提升空穴注入效率的FCE二极管及制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种可提升空穴注入效率的FCE二极管，所述FCE二极管包括：半导体衬底，呈N导电类型；阳极结构，制备于所述半导体衬底的正面；FCE型阴极结构，制备于所述半导体衬底的背面，其中，所述FCE型阴极结构包括阴极N+区、阴极P+区以及与半导体衬底适配电连接的阴极隔离金属；阴极N+区通过阴极隔离金属与阴极P+区间隔，且阴极隔离金属与所间隔的阴极N+区以及阴极P+区均欧姆接触。本发明可提升反向恢复阶段的空穴注入效率，降低阴极的接触效果，与现有工艺兼容，安全可靠。
主权项：1.一种可提升空穴注入效率的FCE二极管，其特征是，所述FCE二极管包括：半导体衬底，呈N导电类型；阳极结构，制备于所述半导体衬底的正面；FCE型阴极结构，制备于所述半导体衬底的背面，其中，所述FCE型阴极结构包括阴极N+区、阴极P+区以及与半导体衬底适配电连接的阴极隔离金属；阴极N+区通过阴极隔离金属与阴极P+区间隔，且阴极隔离金属与所间隔的阴极N+区以及阴极P+区均欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
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