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申请/专利权人：盐城鸿石智能科技有限公司
摘要：本发明涉及显示芯片技术领域，公开了一种微透镜结构MicroLED及其制备方法，微透镜结构MicroLED包括驱动基板，驱动基板上设有若干呈矩形阵列设置的发光单元，发光单元包括键合金属层，键合金属层底部与驱动基板相连，键合金属层上方设有外延层，外延层包括依次设置的P型半导体层、多量子阱层和N型半导体层，P型半导体层底部与键合金属层连接，N型半导体层中间蚀刻成透镜结构，N型半导体层外圈植入离子形成阻隔层，反光单元外壁沉积有钝化层，钝化层对应N型半导体层中间开设有出光口，钝化层外壁沉积有ITO层，ITO层外壁沉积N电极层，N型半导体层通过ITO层与N电极层电连接，本发明通过离子注入和N型半导体层微结构化的方式，减少刻蚀带来的侧壁损伤，同时提高光的准直、聚光性。
主权项：1.一种微透镜结构MicroLED，其特征在于，包括驱动基板，所述驱动基板上设有若干呈矩形阵列设置的发光单元，所述发光单元包括键合金属层，所述键合金属层底部与驱动基板相连，所述键合金属层上方设有外延层，所述外延层包括依次设置的P型半导体层、多量子阱层和N型半导体层，所述P型半导体层底部与键合金属层连接，所述N型半导体层中间蚀刻成透镜结构，所述N型半导体层外圈植入离子形成阻隔层，所述反光单元外壁沉积有钝化层，所述钝化层对应N型半导体层中间开设有出光口，所述钝化层外壁沉积有ITO层，所述ITO层外壁沉积N电极层，所述N型半导体层通过ITO层与N电极层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盐城鸿石智能科技有限公司 一种微透镜结构MicroLED及其制备方法
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