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申请/专利权人：盐城鸿石智能科技有限公司

摘要：本发明涉及显示芯片技术领域，公开了一种全彩MicroLED及其制备方法，全彩MicroLED包括驱动基板、第一发光层、第一连接层、第二发光层和第二连接层，驱动基板包括第一P型半导体电极过渡层，第一发光层包括第一发光单元、第二P型半导体电极过渡层，第一连接层包括第一N型半导体电极过渡层、第一N电极格栅、第三P型半导体电极过渡层，第二发光层包括第二发光单元、第四P型半导体电极过渡层，第二连接层包括第二N型半导体电极过渡层、第二N电极格栅，第二连接层上对应部分第二发光单元处设有色转换层。本发明通过驱动基板驱动第一发光层和第二发光层上发光单元分别发出绿光和蓝光，再通过色转换层将第二发光单元的部分蓝光转换成红光，实现全彩发光。

主权项：1.一种全彩MicroLED，其特征在于，包括驱动基板，驱动基板上沉积第一绝缘隔离层，第一绝缘隔离层对应驱动基板电极处设有第一P型半导体电极过渡层；第一发光层，包括第二绝缘隔离层，第二绝缘隔离层上设有若干阵列设置的第一发光单元，第二绝缘隔离层对应第一P型半导体电极过渡层处设有第二P型半导体电极过渡层，第二P型半导体电极过渡层包括短P型半导体电极过渡层和长P型半导体电极过渡层，第一发光单元底部通过短P型半导体电极过渡层与第一P型半导体电极过渡层连接，长P型半导体电极过渡层贯穿第二绝缘隔离层；第一连接层，包括第一N型半导体电极过渡层，第一N型半导体电极过渡层底部与第一发光层相连，第一N型半导体电极过渡层表面设有第一N电极格栅，第一N型半导体电极过渡层上方沉积第三绝缘隔离层，第三绝缘隔离层对应长P型半导体电极过渡层处贯穿设有第三P型半导体电极过渡层；第二发光层，包括第四绝缘隔离层，第四绝缘隔离层上设有若干阵列设置的第二发光单元，第四绝缘隔离层对应第三P型半导体电极过渡层处设有第四P型半导体电极过渡层，第二发光单元底部通过第四P型半导体电极过渡层与第三P型半导体电极过渡层连接；第二连接层，包括第二N型半导体电极过渡层，第二N型半导体电极过渡层底部与第二发光层相连，第二N型半导体电极过渡层表面设有第二N电极格栅，第二N型半导体电极过渡层上方沉积第五绝缘隔离层，第五绝缘隔离层对应部分第二发光单元处开窗，第五绝缘隔离层窗口内填充颜色转换材料形成色转换层。

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