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申请/专利权人：盐城鸿石智能科技有限公司

摘要：本发明涉及显示芯片技术领域，公开了一种全彩堆叠MicroLED及其制备方法，全彩堆叠MicroLED包括驱动基板，驱动基板上依次键合第一发光层、第二发光层和色转换层，第一发光层包括若干阵列设置的第一发光单元，第一发光单元包括第一外延层，第二发光层包括若干阵列设置的第二发光单元，第二发光单元包括第二外延层，色转换层，包括第二流平层，第二流平层对应部分第二发光单元处设有量子点层，第一外延层为激发绿光的半导体材料，第二外延层为激发蓝光的半导体材料，量子点层为红色量子点材料。本发明通过驱动基板驱动第一发光层和第二发光层上发光单元分别发出绿光和蓝光，再通过色转换层将第二发光单元的部分蓝光转换成红光，实现全彩发光。

主权项：1.一种全彩堆叠MicroLED，其特征在于，包括驱动基板，驱动基板包括基板本体，所述基板本体表面设有若干连接内部电路的金属触点，驱动基板上依次键合第一发光层、第二发光层和色转换层；第一发光层，包括第一绝缘隔离层，第一绝缘隔离层上设有若干阵列设置的第一发光单元，所述第一发光单元包括第一外延层，所述第一外延层侧壁沉积第一钝化层，所述第一钝化层外壁沉积第一反光层，所述第一外延层底部沉设有第一P型电极，所述第一绝缘隔离层对应驱动基板的金属触点处设有第一P型半导体电极过渡层，所述第一P型电极通过第一P型半导体电极过渡层与金属触点连接，所述第一外延层顶部设有第一N电极格栅，所述第一N电极格栅的空隙处填充第一流平层，所述第一流平层对应第一P型半导体电极过渡层处设有第二P型半导体电极过渡层；第二发光层，包括第二绝缘隔离层，第二绝缘隔离层上设有若干阵列设置的第二发光单元，所述第二发光单元包括第二外延层，第二外延层侧壁沉积第二钝化层，所述第二钝化层外壁沉积第二反光层，所述第二外延层底部设有第二P型电极，所述第二绝缘隔离层对应第二P型半导体电极过渡层处设有第三P型半导体电极过渡层，所述第二P型电极依次通过第三P型半导体电极过渡层、第二P型半导体电极过渡层、第一P型半导体电极过渡层与金属触点连接相连，所述第二外延层顶部设有第二N电极格栅；色转换层，包括第二流平层，所述第二流平层对应部分第二发光单元处设有量子点层。

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