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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种采用镍缀饰法表征单晶硅位错环与间隙硅原子团簇的方法，所属半导体用硅片的缺陷表征方法技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对拉制的晶棒切片进行抽样。第二步：进行倒角和磨片加工。第三步：进行碱腐蚀工艺。第四步：对硅片进行双面抛光去除损伤层。第五步：双面抛光后进行洗净，接着NiNO32溶液浸泡处理。第六步：扩散及退火处理，退火后清洗。第七步：最终抛光，然后洗净。第八步：进行激光散射法测试，并根据测试的坐标文件进行扫描电镜测试。通过激光散射及扫描电镜对A‑defect和B‑defect进行表征的方法。根据LSTD与SEM的测试结果，判断晶棒体内是否含有A‑defect和B‑defect缺陷及发生程度。
主权项：1.一种采用镍缀饰法表征单晶硅位错环与间隙硅原子团簇的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：对拉制的晶棒切片进行抽样；第二步：对抽样的硅片进行倒角和磨片加工；第三步：进行碱腐蚀工艺，通过碱腐蚀去除磨片损伤层；第四步：对硅片进行双面抛光去除损伤层，改善平坦度；第五步：双面抛光后进行洗净，接着NiNO32溶液浸泡处理；第六步：扩散及退火处理，退火后清洗；第七步：最终抛光，然后洗净；第八步：进行激光散射法测试，并根据测试的坐标文件进行扫描电镜测试，判断晶棒体内是否含有由间隙硅原子聚集形成位错环和由少量间隙硅原子聚集形成团簇的缺陷及发生程度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 采用镍缀饰法表征单晶硅位错环与间隙硅原子团簇的方法
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