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改善MBOPC中金属线端填充比的方法、系统及可读存储介质 

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申请/专利权人:上海华力微电子有限公司

摘要:本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种改善MBOPC中金属线端填充比的方法、系统及可读存储介质,方法包括以下步骤:选定属性为线端的标签;选择所述线端的临边并生成位点;调节所述位点与所述线端的距离并进行基于模型的光学临近效应修正,仿真各位点对应的位点轮廓线;计算距离所述线端预设距离下各位点轮廓线的积分面积与目标轮廓线的积分面积的比值作为各位点的填充比,评估得到最佳的位点及对应的填充比。通过在基于模型的光学临近效应修正MBOPC中调节所述线端对应临边上的位点位置,找到最佳的位点及对应的填充比,能够有效改善线端处的填充比,从而解决金属层填充过程中出现线端空洞问题。

主权项:1.一种改善MBOPC中金属线端填充比的方法,其特征在于,包括以下步骤:选定属性为线端的标签;选择所述线端的临边并生成位点;调节所述位点与所述线端的距离并进行基于模型的光学临近效应修正,仿真各位点对应的位点轮廓线;计算距离所述线端预设距离下各位点轮廓线的积分面积与目标轮廓线的积分面积的比值作为各位点的填充比,评估得到最佳的位点及对应的填充比。

全文数据:

权利要求:

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