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申请/专利权人：中国科学院过程工程研究所
摘要：本发明提供了一种由混合氯硅烷制备纯硅烷的工艺，混合氯硅烷原料通过隔板精馏、吸附、反应精馏和中间冷凝的处理，制备出电子级高纯硅烷产品。通过本发明改进了硅烷生产工艺，提高了歧化反应转化率和硅烷产品品质，降低过程中的能耗和操作费用，该工艺流程能有效满足电子级高纯硅烷千吨及以上产能的连续生产。
主权项：1.一种由混合氯硅烷制备高纯硅烷的工艺，将隔板精馏、吸附、反应精馏和中间冷凝技术进行集成。具体包括以下步骤：1冷氢化合成的混合氯硅烷进入四氯化硅分离塔中部，塔顶馏出液流入氯硅烷吸附柱底部，侧线四氯化硅流入四氯化硅贮罐，塔釜釜液流入高沸物杂质贮罐；2氯硅烷吸附柱顶部溢流液进入硅烷反应塔中部；3硅烷反应塔的塔顶馏出液进入硅烷脱重塔的中部，塔釜釜液流入四氯化硅贮罐；4硅烷脱重塔的塔顶汽相进入硅烷吸附柱顶部；塔釜釜液返回至硅烷反应塔中部；5硅烷吸附柱底部气相进入硅烷精制塔中部；6硅烷精制塔塔顶尾气去焚烧，侧线气相硅烷冷凝后进入高纯硅烷产品贮罐，塔釜重杂去焚烧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院过程工程研究所 一种由混合氯硅烷制备高纯硅烷的工艺
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