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申请/专利权人：合肥安德科铭半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种单胺基取代硅烷的制备方法，涉及应用于原子层沉积的硅基前驱体材料制备技术领域。本发明以二级有机胺、碱化合物为原料，以烷烃溶剂或醚类溶剂为反应溶剂，反应得到有机胺基碱溶液，将该有机胺基碱溶液与一氯硅烷反应，得到反应物。将反应物过滤得到滤液，滤液蒸馏后得到液体即为单胺基取代硅烷粗品，将粗品精馏，得到单胺基取代硅烷精品。本发明制备得到的单胺基取代硅烷粗品GC纯度＞95％，收率大于85％，氯含量低于10ppm。使后续精馏处理得到的单胺基取代硅烷中氯含量低于1ppm，符合半导体行业对此类产品7N的规格要求。
主权项：1.一种单胺基取代硅烷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在惰性气体氛围中，将有机胺、反应溶剂加入反应器中，搅拌、降温，继续向反应器中加入碱性化合物溶液，控制反应温度-30～0℃，得到胺基碱溶液；（2）搅拌条件下，控制反应温度-30～0℃，向反应器中通入一氯硅烷，通入完毕后，依次经过一段反应、二段反应，得到反应物；（3）反应物过滤器过滤，得到滤液，将滤液常压蒸馏除去反应溶剂，得到单个胺基取代的硅烷粗品；（4）将步骤（3）中得到的单个胺基取代的硅烷粗品精馏，得到金属纯度在99.99999%以上的单取代的胺基硅烷；步骤（1）中有机胺为双取代的二级胺，其通式为HNR1R2，R1、R2为具有1-6个碳原子的直链或支链烷基基团，R1、R2化学结构相同或不同；步骤（2）中一段反应温度为-30℃～0℃；二段反应温度升为25～40℃。
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