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申请/专利权人：内蒙古大全半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种集成电路用电子级五氯乙硅烷生产工艺，包括以下步骤：S1、反应合成：将二氯二氢硅、甲醇以及氯化氢通入反应釜内，生成气态的粗五氯乙硅烷；S2、初步分离：将粗五氯乙硅烷经过冷凝处理，冷凝后的液体再送入分离塔内，使冷凝液中含有的二氯二氢硅、三氯氢硅被蒸发出去；S3、提纯：通过加热蒸发将其中残留的氯硅烷物质蒸发出去。优点在于：本发明利用二氯二氢硅、甲醇、氯化氢来制备五氯乙硅烷，得到的五氯乙硅烷纯度可高达99.99%，达到制备高端集成电路对五氯乙硅烷的要求，可为高端集成电路的发展和应用提供有力保障；可以简化五氯乙硅烷的生产工艺，大大降低五氯乙硅烷生产成本，并能解决目前只能从国外进口的问题。
主权项：1.一种集成电路用电子级五氯乙硅烷生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、反应合成：将二氯二氢硅、甲醇以及氯化氢按照25～35:13～18:1的摩尔比通入反应釜内，在歧化催化剂的作用下，在850～900℃、1.2～1.4Mpa的条件下发生反应，生成气态的粗五氯乙硅烷；所述歧化催化剂为填充有碳链长度在C20-C22范围内的脂肪胺的阴离子弱碱性树脂；S2、初步分离：将所述S1、反应合成中得到的气态的粗五氯乙硅烷经过冷凝处理，使其中的大部分氯硅烷组分冷凝为液态，冷凝后的液体再送入0.65～0.8Mpa、100～115℃的分离塔内，通过加热蒸发使冷凝液中含有的二氯二氢硅、三氯氢硅被蒸发出去；S3、提纯：将所述S2、初步分离中分离塔排出的塔釜液送入0.15～0.3Mpa、80～95℃的提纯塔内，通过加热蒸发将其中残留的氯硅烷物质蒸发出去，提纯塔排出的塔釜液即为五氯乙硅烷产品。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 内蒙古大全半导体有限公司 一种集成电路用电子级五氯乙硅烷生产工艺
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