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存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法 

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申请/专利权人:TDK株式会社

摘要:本发明的存储元件具有:第1铁磁性层;第2铁磁性层;非磁性层,其在第1方向上被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持;第1配线,其沿与所述第1方向不同的第2方向延伸,在所述第1方向上与所述非磁性层夹持所述第1铁磁性层;和电极,其在所述第1方向上由至少一部分与所述非磁性层夹持所述第2铁磁性层,所述电极与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接。

主权项:1.一种存储元件,其特征在于:具有:第1铁磁性层;第2铁磁性层;非磁性层,其在第1方向上被所述第1铁磁性层和所述第2铁磁性层夹持;第1配线,其沿与所述第1方向不同的第2方向延伸,在所述第1方向上与所述非磁性层夹持所述第1铁磁性层;和电极,其在所述第1方向上由至少一部分与所述非磁性层夹持所述第2铁磁性层,所述电极与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接,所述电极具有:第1部分,其覆盖所述第2铁磁性层的与所述非磁性层相反侧的第1面;和第2部分,其覆盖所述第1部分并沿第2方向延伸,所述第2部分与所述第2铁磁性层的侧面的至少一部分相接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: TDK株式会社 存储元件、半导体装置、磁记录阵列和存储元件的制造方法

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