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申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司

摘要：一种用于访问三维存储器的存储器单元的方法，三维存储器包括：多个底部单元块、多个顶部单元块、被耦合到底部单元块的多个底部单元位线、被耦合到顶部单元块的多个顶部单元位线以及被耦合到位于字线之下的底部单元块和位于字线之上的顶部单元块中的每一者的多个字线。该方法可以包括：通过使一个字线和底部单元位线中的一个位线偏置来一次一个单元地访问底部单元块的存储器单元，以及通过使一个字线和顶部单元位线中的一个位线偏置来一次一个单元地访问顶部单元块的存储器单元。

主权项：1.一种三维存储器，包括：在深度方向上处于同一水平面内的存储器单元的底部单元阵列，其被布置在第一底部单元块和第二底部单元块中，其中，所述第一底部单元块和所述第二底部单元块彼此偏移；多个底部单元位线，其被耦合到存储器单元的所述底部单元阵列，其中，所述底部单元位线包括：被耦合到所述第一底部单元块的存储器单元的底部单元位线的第一部分和被耦合到所述第二底部单元块的存储器单元的底部单元位线的第二部分；在深度方向上处于同一水平面内的存储器单元的顶部单元阵列，其在深度方向上位于存储器单元的所述底部单元阵列所处的水平面之上，其中，存储器单元的所述顶部单元阵列被布置在第一顶部单元块和第二顶部单元块中，其中，所述第一顶部单元块和所述第二顶部单元块彼此偏移；多个顶部单元位线，其被耦合到存储器单元的所述顶部单元阵列，其中，所述顶部单元位线包括：被耦合到所述第一顶部单元块的存储器单元的顶部单元位线的第一部分和被耦合到所述第二顶部单元块的存储器单元的顶部单元位线的第二部分；以及多个字线，其被耦合到存储器单元的所述底部单元阵列并被耦合到存储器单元的所述顶部单元阵列，其中，所述字线包括：被耦合到所述第一底部单元块的所述存储器单元的字线的第一部分、被耦合到所述第二底部单元块的所述存储器单元的字线的第二部分、被耦合到所述第一顶部单元块的所述存储器单元的字线的第三部分、被耦合到所述第二顶部单元块的所述存储器单元的字线的第四部分，其中，访问所述存储器单元的至少一个单元包括：将被耦合到所述至少一个单元的字线的电压升高到第一阈值之上，以及将被耦合到所述至少一个单元的位线的电压降低到第二阈值之下，并且其中，所述第一阈值是3V，并且其中，所述第二阈值是-2V。

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百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 2叠层3D PCM存储器的分布式阵列和CMOS架构的编程和读取偏置方案