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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种垂直半导体装置，该垂直半导体装置包括其中绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上的导电图案结构。导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分。导电图案中的每个导电图案包括与边缘部分中的阶梯的上表面对应的垫区域。垫导电图案被设置为接触垫区域的上表面的一部分。掩模图案设置在垫导电图案的上表面上。接触塞穿透掩模图案以接触垫导电图案。
主权项：1.一种垂直半导体装置，所述垂直半导体装置包括：基底；导电图案结构，在导电图案结构中，绝缘图案和导电图案交替且重复地堆叠在基底上，其中，导电图案结构包括具有阶梯形状的边缘部分，导电图案中的每个导电图案包括具有与边缘部分中的阶梯的上表面对应的上表面的垫区域，并且导电图案在与基底的上表面平行的第一方向上纵向延伸；间隔件，位于阶梯的侧壁上；垫导电图案，接触垫区域的上表面的一部分；掩模图案，位于垫导电图案的上表面上；以及接触塞，穿透掩模图案以接触垫导电图案，其中，垫导电图案在第一方向上同位于相邻阶梯的侧壁上的间隔件分隔开。
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