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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供一种半导体器件、半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供衬底；形成覆盖衬底的第一绝缘层，对第一绝缘层进行图案化处理，形成交替分布的多个通孔和多个隔离结构；在各通孔内分别形成导电接触塞，导电接触塞覆盖于通孔底部，且包括邻接设置的第一区域和第二区域，位于第一区域的导电接触塞覆盖隔离结构的外壁且沿外壁延伸至隔离结构背离衬底的表面；形成覆盖于导电接触塞的侧壁及表面的钝化层。本公开的制造方法可保证导电接触塞与存储电容保持良好接触，降低相邻两个导电接触塞之间短路的风险。
主权项：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；形成覆盖所述衬底的第一绝缘层，对所述第一绝缘层进行图案化处理，形成交替分布的多个通孔和多个隔离结构；在各所述通孔内分别形成导电接触塞，所述导电接触塞覆盖于所述通孔底部，且包括邻接设置的第一区域和第二区域，位于所述第一区域的导电接触塞覆盖所述隔离结构的外壁且沿所述外壁延伸至所述隔离结构背离所述衬底的表面；形成覆盖于所述导电接触塞的侧壁及表面的钝化层；位于所述第二区域的导电接触塞背离所述衬底的表面低于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件、半导体结构及其制造方法
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