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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：本发明的目的在于得到能够抑制栅极绝缘膜的表面的凹凸的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本公开所涉及的半导体装置具备：基板；第一电极，设置于上述基板的第一面；第二电极，设置于上述基板的与上述第一面相反侧的第二面；埋入电极，设置于沟槽的内部，该沟槽形成于上述基板的上述第一面；上部电极，设置于上述沟槽的内部，且设置于比上述埋入电极靠上述第一面侧的位置；以及栅极绝缘膜，将上述沟槽的侧壁、上述埋入电极以及上述上部电极电分离，上述栅极绝缘膜具有将上述埋入电极与上述上部电极分离的分离部分，上述埋入电极具有下部层和改性层，该改性层设置于比上述下部层靠近上述分离部分的位置，上述改性层的晶粒直径比上述下部层小。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：基板；第一电极，设置于所述基板的第一面；第二电极，设置于所述基板的与所述第一面相反侧的第二面；埋入电极，设置于沟槽的内部，该沟槽形成于所述基板的所述第一面；上部电极，设置于所述沟槽的内部，且设置于比所述埋入电极靠所述第一面侧的位置；以及栅极绝缘膜，将所述沟槽的侧壁、所述埋入电极以及所述上部电极进行电分离，所述栅极绝缘膜具有将所述埋入电极与所述上部电极分离的分离部分，所述埋入电极具有下部层和改性层，该改性层设置于比所述下部层靠近所述分离部分的位置，所述改性层的晶粒直径比所述下部层的晶粒直径小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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