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申请/专利权人：福州大学
摘要：本发明涉及一种基于飞秒激光处理的QLED器件效率提升方法。在QLED器件制成后，使用具有特定功率和能量的飞秒激光对其进行扫描。该方法利用飞秒激光的独特特性，如极高的峰值功率和极短的脉冲持续时间，以实现空穴传输层和量子点发光层的交联。通过这种处理，QLED器件的电荷传输和发光效率得到显著提升，从而实现整体设备性能的优化。本发明跳过了现有技术中新材料的合成和掺杂等步骤，提供了一个简单、高效的方法。
主权项：1.一种基于飞秒激光处理的QLED器件效率提升方法，其特征在于，包括如下步骤：1准备一个已完成空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层旋涂的半成品QLED器件；2使用飞秒激光对半成品器件进行阵列扫描；飞秒激光处理包括在半成品QLED器件的空穴传输层与量子点发光层界面形成交联结构，提高其空穴传输效率；3飞秒激光处理完成后进行电子传输层的旋涂和阴极的蒸镀；4电极蒸镀结束后使用紫外固化胶和盖玻片进行封装处理，得到电荷传输和发光效率得到改善的QLED器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福州大学 一种基于飞秒激光处理的QLED器件效率提升方法
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