龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种叉指型环形栅AlGaNGaNHEMT结构的双面紫外光探测器，其结构从下往上依次包括：硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层、u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层；探测器在有源区侧壁采用绝缘物进行保护，源极金属层和漏极金属层以叉指型分布方式交错排列在GaN帽层上，利用钝化物对器件进行钝化处理，通过对硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层和部分的u‑GaN沟道层进行刻蚀处理，暴露出u‑GaN沟道层，实现对紫外光的双面探测。本发明中叉指型源漏电极和环形栅结构的引入，降低了器件的导通电阻，提高了欧姆接触性能，显著增大了器件的有效感光面积，使得探测器对光信号的灵敏度大幅提升，从而更有效地捕获光子，提高了探测器的响应能力。
主权项：1.一种叉指型环形栅AlGaNGaNHEMT结构的双面紫外光探测器，其特征在于，其结构从下往上依次包括：一硅衬底层；一生长在硅衬底上的AlGaN背势垒层；一生长在AlGaN背势垒层上的高阻GaN缓冲层；一生长在高阻GaN缓冲层上的u-GaN沟道层；一生长在u-GaN沟道层上的AlGaN势垒层；一生长在AlGaN势垒层上的GaN帽层；所述探测器选取GaN帽层覆盖的耗尽型AlGaNGaN外延片，器件的隔离刻蚀厚度被精确控制在50～80nm范围内，并在有源区侧壁采用绝缘物进行保护，源极金属层和漏极金属层以叉指型分布方式交错排列在GaN帽层上，形成独特的源漏叉指电极结构，透明环形栅电极被依次沉积在源漏电极之间，通过横向的栅电极线将所有环形栅电极连接成一根完整的栅电极；同时，利用钝化物对器件进行钝化处理，保留了源极开孔区域、漏极开孔区域和栅极开孔区域，通过在器件背面对硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层和部分的u-GaN沟道层进行刻蚀处理，成功地暴露出u-GaN沟道层，实现HEMT器件对紫外光的双面探测。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 叉指型环形栅AlGaN/GaN HEMT结构的双面紫外光探测器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号