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申请/专利权人：中国科学技术大学
摘要：本发明提供了一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管，所述晶体管包括：衬底、AlN缓冲层、背势垒层、多量子阱结构、GaN帽层、源电极、漏电极和栅电极，多量子阱结构为N层铝组分渐变的AlGaN沟道层和设置在每两层铝组分渐变的AlGaN沟道层之间的AlN量子垒层，N≥2。本发明利用极化诱导掺杂，实现了异质结界面处高密度二维电子气或二维空穴气、以及铝组分渐变的AlGaN沟道层内的三维电子气或三维空穴气的结合，有利于器件的高频、大电流应用；利用背势垒实现了更有效的载流子限制作用，有效减小器件漏电，实现器件更好的关态击穿特性和开态大偏压下的电流饱和。
主权项：1.一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：衬底1；依次设置在所述衬底1上的AlN缓冲层2和背势垒层3；设置于所述背势垒层3上的多量子阱结构4，所述多量子阱结构4为N层铝组分渐变的AlGaN沟道层401和设置在每两层铝组分渐变的AlGaN沟道层401之间的AlN量子垒层402，N≥2；设置于所述多量子阱结构4上的GaN帽层5；从GaN帽层5两端分别向多量子阱结构4延伸预设深度的源电极6和漏电极7，以及；设置于GaN帽层5上，且在源电极6和漏电极7之间的栅极8。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学技术大学 一种新型AlGaN基多沟道场效应晶体管
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