龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：安世有限公司
摘要：一种具有非线性栅极氧化物半导体边界布局的沟槽晶体管及其制造方法。沟槽晶体管包括栅极区；与栅极区相邻的氧化物区；与氧化物区相邻的半导体区。半导体区包括沿着栅极氧化物半导体边界的沟道体区。沟道体区被配置为当晶体管导通时沿着栅极氧化物半导体边界传导电流。栅极氧化物半导体边界具有非线性形状。
主权项：1.一种沟槽晶体管，包括：栅极区；氧化物区，其与所述栅极区相邻；半导体区，其与所述氧化物区相邻；其中，所述半导体区包括沿着栅极氧化物半导体边界的沟道体区，所述沟道体区被配置为当所述晶体管导通时沿着所述栅极氧化物半导体边界传导电流；以及其中，所述栅极氧化物半导体边界具有非线性形状。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 非线性栅极垂直晶体管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号