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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本申请提供一种超结器件，包括：衬底、外延层、外延层中阵列式排布的深沟槽、氧化层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，其中，深沟槽中的第二多晶硅层中形成有空腔结构。本申请采用不完全填充的填充方式在深沟槽中填充第二多晶硅层，以在深沟槽中间形成空腔结构，各深沟槽内的空腔结构的存在可以为衬底上的器件各膜层提供后续热退火过程工艺膨胀的空间，可减轻各膜层施加于衬底的应力，从而解决半导体衬底的翘曲或开裂问题，提高了器件良率。
主权项：1.一种超结器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有外延层，所述外延层中形成有阵列式排布的深沟槽；氧化层，所述氧化层覆盖所述外延层和所述深沟槽的侧壁和底壁；第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述氧化层；以及第二多晶硅层，所述第二多晶硅层覆盖所述第一多晶硅层以及填充所述深沟槽的剩余空间，其中，所述第二多晶硅层的填充方式为不完全填充，所述深沟槽中的第二多晶硅层中形成有空腔结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 超结器件
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