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申请/专利权人：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本申请实施例涉及半导体加工领域，公开了一种半导体硅片激光软刻字方法、设备、介质及产品。在激光软刻字目标区域获取三个激光定位点，得到第一定位点、第二定位点和第三定位点的深度值；根据所述第二定位点的深度值和预设的标准刻字深度值，得到中心差值；根据所述第一定位点的深度值和第三定位点的深度值，得到边缘差值；根据所述第一定位点的深度值、第二定位点的深度值和第三定位点的深度值与所述标准刻字深度值，得到总差值；根据所述中心差值、边缘差值和总差值，调整激光刻字机的操作参数和硅片的摆放位置。可以用以解决软刻字过程中刻字码出现左右刻字深度不匀的技术问题。
主权项：1.一种半导体硅片激光软刻字方法，其特征在于，所述方法包括：在激光软刻字目标区域获取三个激光定位点，得到第一定位点、第二定位点和第三定位点的深度值；根据所述第二定位点的深度值X2和预设的标准刻字深度值T，得到中心差值Xm；根据所述第一定位点的深度值X1和第三定位点的深度值X2，得到边缘差值Ym；根据所述第一定位点的深度值X1、第二定位点的深度值X2和第三定位点的深度值X3与所述标准刻字深度值T，得到总差值Zm；根据所述中心差值Xm、边缘差值Ym和总差值Zm，调整激光刻字机的操作参数和硅片的摆放位置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海中欣晶圆半导体科技有限公司 一种半导体硅片激光软刻字方法、设备、介质及产品
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