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申请/专利权人：广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法。降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法，其特征在于，包括提供外延结构，所述外延结构包括由沟道层和势垒层形成的异质结，所述势垒层与所述沟道层之间的界面形成有载流子沟道；至少除去位于所述外延结构欧姆区域的势垒层，在暴露在欧姆区域的所述沟道层上溅射形成重掺杂的N型半导体接触层，所述重掺杂的N型半导体接触层与所述载流子沟道电连接；在所述重掺杂的N型半导体接触层上制作源极、漏极，所述源极、所述漏极与所述重掺杂的N型半导体接触层形成欧姆接触。本发明利用重掺杂的N+‑GaN与二维电子气直接接触，避免金属电极与2DEG沟道形成接触势垒，因而可以获得较低的接触电阻。
主权项：1.一种降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法，其特征在于，包括：提供外延结构，所述外延结构包括由沟道层和势垒层形成的异质结，所述势垒层与所述沟道层之间的界面形成有载流子沟道；至少除去位于所述外延结构欧姆区域的势垒层，在暴露在欧姆区域的所述沟道层上溅射形成重掺杂的N型半导体接触层，所述重掺杂的N型半导体接触层与所述载流子沟道电连接；在所述重掺杂的N型半导体接触层上制作源极、漏极，所述源极、所述漏极与所述重掺杂的N型半导体接触层形成欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东中科半导体微纳制造技术研究院 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法
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