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一种基于ALD改进的量子团块阵列金属氧化物纳米材料制备方法以及系统 

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申请/专利权人:成汤碳能(成都)科技有限公司

摘要:本申请是关于一种基于ALD改进的量子团块阵列金属氧化物纳米材料制备方法以及系统。具体包括以下步骤:建立纳米一体化平台,选择多孔的贵金属碳纳米材料作为基底模板;在多孔基底材料上采用ALD循环法沉积N层金属氧化物原子层;封装成包括气敏部分、电路板、通信模块、芯片的气体传感器模组;将N层金属氧化物原子层依次采用ALD制备循环过程。本申请改进了纳米材料的工艺,提供了效率,采用组合多种金属氧化物、高分子有机物、贵金属等气敏原件阵列,可以覆盖更多气体,解决现有技术覆盖其他种类少的问题,此外,制备的气敏模组可以提高气体测量响应精度下限能达到十分之一个PPb级,解决气体测量精度和测量广度不够的问题。

主权项:1.一种基于ALD改进的量子团块阵列金属氧化物纳米材料制备方法以及系统,其特征在于:具体包括以下步骤:1建立纳米一体化平台,选择多孔的贵金属碳纳米材料作为基底模板;2在多孔基底材料上采用ALD循环法沉积N层金属氧化物原子层;3封装成包括气敏部分、电路板、通信模块、芯片的气体传感器模组;4对气体传感器模组进行基本模组测试、各个部分功能测试以及整体测试;5根据测试情况循环优化调整;6将N层金属氧化物原子层依次采用ALD制备循环过程。

全文数据:

权利要求:

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