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申请/专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
摘要：本发明提供的一种双向GaNHEMT器件，包括：衬底、沟道层与势垒层；第一欧姆金属层、栅极结构与第二欧姆金属层，沿第一方向依次排列于沟道层的表面；其中，栅极结构与第一欧姆金属层之间的距离等于栅极结构与第二欧姆金属层之间的距离；栅极绝缘结构，嵌于栅极绝缘结构中的栅极场板，且其电性连接栅极结构，用于调节栅极结构下的纵向电场分布；第一金属场板，包覆于栅极绝缘结构的第一端，且第一金属场板与第二欧姆金属层电性连接；第二金属场板，包覆于栅极绝缘结构的第二端，且第二金属场板与第一欧姆金属层电性连接；第二端与第一端沿第一方向相对。本发明提供的技术方案，改善了双向GaNHEMT器件的电场分布情况，提高了双向GaNHEMT器件的耐压能力。
主权项：1.一种双向GaNHEMT器件，其特征在于，包括：衬底；其中，所述衬底上依次堆叠形成有沟道层与势垒层；第一欧姆金属层、栅极结构与第二欧姆金属层，沿第一方向依次排列于所述沟道层的表面；其中，所述栅极结构与所述第一欧姆金属层之间的距离等于所述栅极结构与所述第二欧姆金属层之间的距离；栅极场板与栅极绝缘结构，其中，所述栅极绝缘结构包覆于所述栅极结构的表面和侧壁，且覆盖所述第一欧姆金属层与所述第二欧姆金属层之间的所述沟道层的表面；所述栅极场板嵌于所述栅极绝缘结构中，且电性连接所述栅极结构，用于调节所述栅极结构下的纵向电场分布；第一金属场板，包覆于所述栅极绝缘结构的第一端，且所述第一金属场板与所述第二欧姆金属层电性连接；其中，当所述第一欧姆金属层作为漏极金属层，所述第二欧姆金属层作为源极金属层时，所述第一金属场板用于减小所述第一欧姆金属层与所述栅极结构之间的电压峰值；第二金属场板，包覆于所述栅极绝缘结构的第二端，且所述第二金属场板与所述第一欧姆金属层电性连接；所述第二端与所述第一端沿所述第一方向相对；其中，当所述第二欧姆金属层作为漏极金属层，所述第一欧姆金属层作为源极金属层时，所述第二金属场板用于减小所述第二欧姆金属层与所述栅极结构之间的电压峰值。
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百度查询： 上海芯导电子科技股份有限公司 双向GaN HEMT器件与双向GaN HEMT器件的制备方法
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