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申请/专利权人：华中科技大学
摘要：本发明属于半导体材料领域，公开了一种类金刚石半导体材料及其合成方法，该类金刚石半导体材料具体为Cu3‑xAgxInSnSe5半导体材料，其中，0≤x≤1。其晶格结构为正方结构，空间群为本发明通过对材料的组成、结构进行改进，将Cu2SnSe3与CuInSe2或AgInSe2这些不同的类金刚石化合物的四面体基元进行重新排列，得到多元的Cu3‑xAgxInSnSe5类金刚石半导体材料，具有四方结构并且，本发明制备方法成本低廉，可大规模推广应用。
主权项：1.一种类金刚石半导体材料，其特征在于，该半导体材料具体为Cu3-xAgxInSnSe5单相半导体材料，其中，0≤x≤1；所述Cu3-xAgxInSnSe5半导体材料的晶格结构为正方结构，空间群为I42d。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华中科技大学 一种类金刚石半导体材料及其合成方法
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