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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置包含半导体层、第一～第二电极、控制电极和连接区域。半导体层包含第一～第三半导体区域。控制电极隔着绝缘膜与第一～第三半导体区域对置。连接区域位于第一电极与第一半导体区域之间，将第一电极与第一半导体区域电连接。连接区域包含选自由Ti、V、Cr、Zr、Mo、Hf、Ta和W组成的组中的至少一种第一金属元素与Si的化合物以及Pt与Si的化合物。连接区域包含与半导体层中的n型区域在第一方向上相邻的第一部分。第一部分中的第一方向的第一金属元素的浓度分布的峰值位置是第一部分中的第一方向的Pt的浓度分布的峰值位置与n型区域之间。
主权项：1.一种半导体装置，具备：半导体层，包括：第一导电型的第一半导体区域；第二导电型的第二半导体区域，与所述第一半导体区域相接；以及第一导电型的第三半导体区域，以所述第二半导体区域的一部分位于所述第三半导体区域与所述第一半导体区域之间的方式设置；第一电极，与所述第一半导体区域电连接；第二电极，与所述第三半导体区域电连接；控制电极，隔着绝缘膜与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域分别对置；以及连接区域，位于所述第一电极与所述第一半导体区域之间，将所述第一电极与所述第一半导体区域电连接，包含选自由Ti、V、Cr、Zr、Mo、Hf、Ta和W组成的组中的至少一种第一金属元素与Si的化合物以及Pt与Si的化合物，包含与所述半导体层中的n型区域在第一方向上相邻的第一部分，所述第一部分中的所述第一方向的所述第一金属元素的浓度分布的峰值位置是所述第一部分中的所述第一方向的Pt的浓度分布的峰值位置与所述n型区域之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置以及半导体装置的制造方法
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