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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：源极结构；绝缘层，其设置在源极结构内，绝缘层包括在第一方向上延伸的第一边缘和在第二方向上延伸的第二边缘，第二方向与第一方向交叉；第一接触结构，其设置在绝缘层内，第一接触结构具有在第二方向上的第二宽度和在第一方向上的第一宽度，第一宽度大于第二宽度；以及第二接触结构，其设置在绝缘层上并且连接到第一接触结构，第二接触结构具有在第二方向上的第四宽度和在第一方向上的第三宽度，第三宽度大于第四宽度。
主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：源极结构；绝缘层，所述绝缘层设置在所述源极结构内，所述绝缘层包括在第一方向上延伸的第一边缘和在第二方向上延伸的第二边缘，所述第二方向与所述第一方向交叉；第一接触结构，所述第一接触结构设置在所述绝缘层内，所述第一接触结构具有在所述第二方向上的第二宽度和在所述第一方向上的第一宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；以及第二接触结构，所述第二接触结构设置在所述绝缘层上并且连接到所述第一接触结构，所述第二接触结构具有在所述第二方向上的第四宽度和在所述第一方向上的第三宽度，所述第三宽度大于所述第四宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法
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